PPt4Web Хостинг презентаций

Главная / Химия / Электронная проводимость металлов
X Код для использования на сайте:

Скопируйте этот код и вставьте его на свой сайт

X

Чтобы скачать данную презентацию, порекомендуйте, пожалуйста, её своим друзьям в любой соц. сети.

После чего скачивание начнётся автоматически!

Кнопки:

Презентация на тему: Электронная проводимость металлов


Скачать эту презентацию

Презентация на тему: Электронная проводимость металлов


Скачать эту презентацию

№ слайда 1 З Д Р А В С Т В У Й Т Е! 900igr.net
Описание слайда:

З Д Р А В С Т В У Й Т Е! 900igr.net

№ слайда 2 Лекция 13 Тема: Классическая теория электропроводности металлов 13.1.Классическо
Описание слайда:

Лекция 13 Тема: Классическая теория электропроводности металлов 13.1.Классическое представление об электропроводности металлов. Экспериментальные данные 13.2. Вывод законов Ома и Джоуля – Ленца в классической теории электронной проводимости металлов 13.3. Сверхпроводимость Содержание лекции: Сегодня: *

№ слайда 3 13.1 Классическое представление об электропроводности металлов. Экспериментальны
Описание слайда:

13.1 Классическое представление об электропроводности металлов. Экспериментальные данные Кристаллическая решетка металлов состоит из остовов положительно заряженных ионов, расположенных в узлах решетки, и «свободных» электронов, беспорядочно движущихся в промежутках между ионами, образуя особого рода электронный газ. В отсутствие внешнего электрического поля электроны движутся хаотически.

№ слайда 4 Появление поля вызывает направленное движение электронов вдоль силовых линий пол
Описание слайда:

Появление поля вызывает направленное движение электронов вдоль силовых линий поля. Появляется электрический ток. Сталкиваясь при своем движении с дефектами решетки или рассеиваясь на ионах электроны передают избыток энергии, приобретенный под действием поля. Рассеяние электронов на примесях, дефектах, ионах является причиной возникновения сопротивления и теплового действия электрического тока.

№ слайда 5 Рис. 13.1 Ионы в металлах не участвуют в переносе электричества. Рикке (1845 191
Описание слайда:

Рис. 13.1 Ионы в металлах не участвуют в переносе электричества. Рикке (1845 1915) в течение года пропускал ток через три поставленных друг на друга цилиндра: медный, алюминиевый и снова медный (рис. 13.1). За год через цилиндры прошло 3,5 106 Кл электричества, но проникновения металлов друг в друга и изменения их массы с точностью до 0,03 мг не было обнаружено.

№ слайда 6 Прямое указание на природу «свободных» носителей заряда в металлах дали опыты Ма
Описание слайда:

Прямое указание на природу «свободных» носителей заряда в металлах дали опыты Мандельштама и Папалекси в 1913 г. Катушка, содержащая большое число витков проволоки, раскручивалась и быстро тормозилась, а электроны после торможения продолжали двигаться, что приводило к появлению тока в замкнутой цепи. По отклонению баллистического гальванометра измерялся полный заряд, прошедший через гальванометр. Количественный результат был получен Толменом

№ слайда 7 и Стюартом в 1916 г. Величина силы инерции при торможении равна ma, она уравнове
Описание слайда:

и Стюартом в 1916 г. Величина силы инерции при торможении равна ma, она уравновешивается полем кулоновских сил еЕ при инерционном смещении электронов. Здесь m, e масса и заряд частиц, ответственных за прохождение тока в проводнике; l длина проводника; vн , vк начальная и конечная линейная скорости обода вращающейся катушки (vк = 0); t время торможения.

№ слайда 8 Согласно закону Ома, имеем 1 2 = IR = , где q заряд, прошедший по цепи и измерен
Описание слайда:

Согласно закону Ома, имеем 1 2 = IR = , где q заряд, прошедший по цепи и измеренный баллистическим гальванометром. В результате из равенства была определена величина удельного заряда частицы, ответственной за прохождение тока в металлах, выраженная через экспериментально определяемые параметры:

№ слайда 9 Удельный заряд (e/m) в пределах ошибок измерений оказался равным удельному заряд
Описание слайда:

Удельный заряд (e/m) в пределах ошибок измерений оказался равным удельному заряду электрона 1,76 10 11 Кл/кг. Таким образом, свободными носителями заряда, ответственными за появление тока в металлах, являются электроны. С точки зрения классического подхода считается, что электроны представляют в металлах идеальный газ. В газе «свободных» электронов силы отталкивания между электронами компенсируются силами притяжения электронов к регулярно расположенным остовам кристаллической решетки.

№ слайда 10 13.2. Вывод законов Ома и Джоуля – Ленца в классической теории электронной прово
Описание слайда:

13.2. Вывод законов Ома и Джоуля – Ленца в классической теории электронной проводимости металлов Исходя из того ,что электроны представляют в металлах идеальный газ, попытаемся получить закон Ома и выражение для электропроводности металла. Воспользуемся определением величины плотности тока j = enu. Согласно классической теории проводимости электроны представляют точки, движущиеся под действием внешнего поля Е.

№ слайда 11 В отсутствие поля средняя скорость направленного движения электронов u равна нул
Описание слайда:

В отсутствие поля средняя скорость направленного движения электронов u равна нулю, а средняя скорость хаотического движения v определяется согласно молекулярно-кинетической теории следующим выражением:

№ слайда 12 Рис.13.2 Под действием поля Е электроны приобретают добавочную скорость u (рис.
Описание слайда:

Рис.13.2 Под действием поля Е электроны приобретают добавочную скорость u (рис. 13.2). Величина этой скорости много меньше средней скорости хаотического движения практически для всех реально достижимых токов

№ слайда 13 Здесь концентрация электронов подсчитана для меди, n = NA /A 8,5 1028 м 3. Поэто
Описание слайда:

Здесь концентрация электронов подсчитана для меди, n = NA /A 8,5 1028 м 3. Поэтому столкновения электронов с дефектами, примесями и ионами решетки связаны главным образом с тепловым движением электронов и происходят в среднем через промежуток времени где l длина свободного пробега электрона.

№ слайда 14 За время электрон может приобрести среднюю скорость направленного движения: u =
Описание слайда:

За время электрон может приобрести среднюю скорость направленного движения: u = a = где a = F/m = eE/m ускорение, сообщаемое электрону силой F = eE. Среднее значение скорости u

№ слайда 15 Подставив величину uср в выражение для плотности тока получим Плотность тока про
Описание слайда:

Подставив величину uср в выражение для плотности тока получим Плотность тока пропорциональна напряженности поля, что соответствует закону Ома j = E, -величина электропроводности, равная

№ слайда 16 Металлы оказываются хорошими проводниками не только электрического тока, но и те
Описание слайда:

Металлы оказываются хорошими проводниками не только электрического тока, но и тепла. Это связано с тем, что переносчиками тепла и электричества в металлах являются свободные электроны, а роль ионов в передаче тепла пренебрежимо мала. Коэффициент теплопроводности для металлов, как ранее было показано, равен = nvCV l, где СV = (3/2)k теплоемкость при постоянном объеме.

№ слайда 17 Разделив на , имеем (mv2 3kT) . закон Видемана Франца, утверждающий, что отношен
Описание слайда:

Разделив на , имеем (mv2 3kT) . закон Видемана Франца, утверждающий, что отношение коэффициента теплопроводности для металлов к удельной электропроводности пропорционально температуре и не зависит от рода металла. Этот закон был установлен в 1853 г. экспериментально немецкими физиками Г. Видеманом и Р. Францем. Теоретически закон был обоснован в 1902 г. немецким. физиком Друде

№ слайда 18 Совпадение результатов теории П. Друде с экспериментом считалось долгое время ве
Описание слайда:

Совпадение результатов теории П. Друде с экспериментом считалось долгое время веским доказательством справедливости классической теории электропроводности и теплопроводности металлов. Но реально классическая теория дает неверные значения для v2 и CV. Случайно эти ошибки компенсируют друг друга, и фактически CVv2 получается верной. Последовательный вывод закона Видемана – Франца может быть выполнен только в рамках квантовой механики.

№ слайда 19 Классическая теория электропроводности дает правильное объяснение закону Джоуля
Описание слайда:

Классическая теория электропроводности дает правильное объяснение закону Джоуля Ленца, т.е. тепловому действию тока. Поскольку при каждом столкновении частицей рассеивается дополнительно приобретенная энергия mu2/2, а число таких столкновений в единице объема равно n/ , то полное тепловыделение в единице объема = Е2

№ слайда 20 Удельная мощность тока w пропорциональна квадрату электрического поля и удельной
Описание слайда:

Удельная мощность тока w пропорциональна квадрату электрического поля и удельной электропроводности что соответствует эксперименту. Сопротивление однородного проводника R = l/S, где l и S – его длина и поперечное сечение; удельное сопротивление вещества проводника, определяемое удельной электропроводностью =1/ .

№ слайда 21 Из всех металлов наибольшую удельную электропроводность имеет серебро. Электропр
Описание слайда:

Из всех металлов наибольшую удельную электропроводность имеет серебро. Электропроводность меди только на 10% меньше электропроводности серебра, притом медь во много раз дешевле, поэтому применяемые в электротехнике высококачественные проводники чаще всего изготовляются из меди, очищенной от всех примесей. Для изготовления проводов применяют также алюминий, удельное сопротивление которого в 1,5 раза превышает сопротивление меди.

№ слайда 22 Сопротивление химически чистых металлов с повышением температуры возрастает, уве
Описание слайда:

Сопротивление химически чистых металлов с повышением температуры возрастает, увеличиваясь с каждым градусом примерно на 0,4% от сопротивления при 0 С. Для многих химически чистых металлов даже при значительном нагревании сохраняется пропорциональность между увеличением сопротивления и приростом температуры. Это позволяет вычислить сопротивление при температуре t С по формуле R = R0(1 + t), где R0 – сопротивление при 0 С и – температурный коэффициент сопротивления.

№ слайда 23 Зависимостью электропроводности от температуры пользуются для измерения температ
Описание слайда:

Зависимостью электропроводности от температуры пользуются для измерения температуры приборами, называемыми термометрами сопротивления. Разновидность термометров сопротивления – болометры используются для измерения теплового излучения. Чувствительность болометров чрезвычайно велика: они реагируют на поток энергии 10 8 10 9 Вт.

№ слайда 24 Удельное сопротивление металлов зависит не только от температуры, но и от механи
Описание слайда:

Удельное сопротивление металлов зависит не только от температуры, но и от механических воздействий. При растяжении удельное сопротивление большинства металлов возрастает. Зависимостью сопротивления проволоки от степени ее растяжения пользуются для измерения деформаций и механических напряжений в приборах, называемых тензометрами сопротивления.

№ слайда 25 Таким образом, классическая электронная теория объясняет существование электриче
Описание слайда:

Таким образом, классическая электронная теория объясняет существование электрического сопротивления металлов, законы Ома и Джоуля–Ленца. Однако в ряде вопросов классическая электронная теория приводит к выводам, находящимся в противоречии с опытом.

№ слайда 26 Эта теория не может, например, объяснить, почему молярная теплоемкость металлов,
Описание слайда:

Эта теория не может, например, объяснить, почему молярная теплоемкость металлов, также как и молярная теплоемкость диэлектрических кристаллов, равна 3R (закон Дюлонга и Пти.) Классическая электронная теория не может также объяснить температурную зависимость удельного сопротивления металлов: Теория дает в то время как из эксперимента получается зависимость ρ ~ T. 3. Однако наиболее ярким примером расхождения теории и опытов является сверхпроводимость.

№ слайда 27 13.3. Сверхпроводимость С очевидными успехами классическая теория электропроводн
Описание слайда:

13.3. Сверхпроводимость С очевидными успехами классическая теория электропроводности столкнулась с принципиальными трудностями в объяснении сверхпроводимости, теплоемкости металлов, зависимости удельного сопротивления от температуры и в количественном описании явлений электропроводности и теплопроводности металлов.

№ слайда 28 Несоответствие поведения электронов в металле предсказаниям классической теории
Описание слайда:

Несоответствие поведения электронов в металле предсказаниям классической теории электропроводности обусловлено тем, что в металле электрон ведет себя как квантовый объект. Поэтому для описания поведения электронов в металлах необходимо использовать уравнение Шрёдингера, а не уравнение Ньютона. В рамках квантовый механики удаётся объяснить одно из интереснейших явлений: явление сверхпроводимости металлов.

№ слайда 29 Изучая поведение сопротивления ртути, охлаждаемой до гелиевых температур, Камерл
Описание слайда:

Изучая поведение сопротивления ртути, охлаждаемой до гелиевых температур, Камерлинг-Оннес в 1911 г. впервые в мире наблюдал исчезновение сопротивления ртути практически до нуля. Это явление было названо сверхпроводимостью. Между открытием этого явления и его объяснением прошло полвека. В 1957 г. Дж. Бардином, Л. Купером, Дж. Шрифером дано квантово-механическое объяснение природы сверхпроводимости (теория БКШ).

№ слайда 30 Было показано, что хотя между электронами действуют силы кулоновского отталкиван
Описание слайда:

Было показано, что хотя между электронами действуют силы кулоновского отталкивания, тем не менее в твердых телах при температуре перехода в сверхпроводящее состояние Тс – критической температуре, между электронами начинают действовать силы притяжения, обусловленные обменом фононами между электронами. Фононы – кванты упругих колебаний кристаллической решетки. Это притяжение приводит к образованию связанных электронных пар – куперовских пар.

№ слайда 31 Пары электронов уже не являются фермионами, и для них уже не действует принцип з
Описание слайда:

Пары электронов уже не являются фермионами, и для них уже не действует принцип запрета Паули. Спаренные электроны являются бозонами – частицами с нулевым спином, и стремятся сконденсироваться. В результате такой конденсации образуется электрически заряженная, сверхтекучая электронная жидкость, обладающая свойствами сверхпроводимости. Сверхпроводящее состояние является макроскопическим квантовым состоянием металла.

№ слайда 32 Лекция 14. ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ ПРОВОДНИКОВ. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ НА ГРАНИЦАХ ПРО
Описание слайда:

Лекция 14. ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ ПРОВОДНИКОВ. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ НА ГРАНИЦАХ ПРОВОДНИКОВ 14.1. Эмиссия электронов из проводников 14.1.1. Термоэлектронная эмиссия 14.1.2. Холодная и взрывная эмиссия 14.1.3. Фотоэлектронная эмиссия 14.2. Контактные явления на границе раздела двух проводников

№ слайда 33 14.1. Эмиссия электронов из проводников Электрон свободен только в границах мета
Описание слайда:

14.1. Эмиссия электронов из проводников Электрон свободен только в границах металла. Как только он пытается перейти границу «металл – вакуум», возникает кулоновская сила притяжения между электроном и образовавшимся на поверхности избыточным положительным зарядом

№ слайда 34 Вблизи от поверхности образуется электронное облако, и на границе раздела формир
Описание слайда:

Вблизи от поверхности образуется электронное облако, и на границе раздела формируется двойной электрический слой с разностью потенциалов

№ слайда 35 Скачки потенциала на границе металла показаны на рисунке В занятом металлом объе
Описание слайда:

Скачки потенциала на границе металла показаны на рисунке В занятом металлом объеме образуется потенциальная энергетическая яма Так как в пределах металла электроны свободны, и их энергия взаимодействия с узлами решетки равна нулю. За пределами металла электрон приобретает энергию W0. Это энергия притяжения, поэтому

№ слайда 36 Для того, чтобы покинуть металл, электрон должен преодолеть потенциальный барьер
Описание слайда:

Для того, чтобы покинуть металл, электрон должен преодолеть потенциальный барьер и совершить работу (14.1.1) Эту работу называют работой выхода электрона из металла. Для ее совершения электрону необходимо сообщить достаточную энергию

№ слайда 37 14.1.1. Термоэлектронная эмиссия Величина работы выхода зависит от химической пр
Описание слайда:

14.1.1. Термоэлектронная эмиссия Величина работы выхода зависит от химической природы вещества, от его термодинамического состояния и от состояния поверхности раздела. Если энергия, достаточная для совершения работы выхода, сообщается электронам путем нагревания, то процесс выхода электронов из металла называют термоэлектронной эмиссией.

№ слайда 38 Явление испускания электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум называется
Описание слайда:

Явление испускания электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум называется термоэлектронной эмиссией.

№ слайда 39 Нагрев необходим для того, чтобы энергии теплового движения электрона было доста
Описание слайда:

Нагрев необходим для того, чтобы энергии теплового движения электрона было достаточно для преодоления сил кулоновского притяжения между отрицательно заряженным электроном и индуцируемым им на поверхности металла положительным зарядом при удалении с поверхности. Кроме того, при достаточно высокой температуре над поверхностью металла создается отрицательно заряженное электронное облако, препятствующее выходу электрона с поверхности металла в вакуум.

№ слайда 40 Явление термоэлектронной эмиссии открыто в 1883 г. знаменитым американским изобр
Описание слайда:

Явление термоэлектронной эмиссии открыто в 1883 г. знаменитым американским изобретателем Эдисоном. Это явление наблюдалось им в вакуумной лампе с двумя электродами – анодом, имеющим положительный потенциал, и катодом с отрицательным потенциалом. Катодом лампы может служить нить из тугоплавкого металла (вольфрам, молибден, тантал и др.), нагреваемая электрическим током. Такая лампа называется вакуумным диодом.

№ слайда 41
Описание слайда:

№ слайда 42 Если катод холодный, то ток в цепи катод – анод практически отсутствует. При пов
Описание слайда:

Если катод холодный, то ток в цепи катод – анод практически отсутствует. При повышении температуры катода в цепи катод – анод появляется электрический ток, который тем больше, чем выше температура катода. При постоянной температуре катода ток в цепи катод – анод возрастает с повышением разности потенциалов U между катодом и анодом и выходит к некоторому стационарному значению, называемому током насыщения Iн. При этом все термоэлектроны, испускаемые катодом, достигают анода. Величина тока анода не пропорциональна U, и поэтому для вакуумного диода закон Ома не выполняется.

№ слайда 43 На рисунке показаны схема вакуумного диода и вольт-амперные характеристики (ВАХ)
Описание слайда:

На рисунке показаны схема вакуумного диода и вольт-амперные характеристики (ВАХ) Ia(Ua) Uз– задерживающее напряжение при котором I = 0 Iн – ток насыщения, при котором все электроны, испускаемые катодом достигают анода

№ слайда 44 14.1.2. Холодная и взрывная эмиссия Электронную эмиссию, вызываемую действием си
Описание слайда:

14.1.2. Холодная и взрывная эмиссия Электронную эмиссию, вызываемую действием сил электрического поля на свободные электроны в металле, называют холодной или автоэлектронной эмиссией. Для этого должна быть достаточной напряженность поля и должно выполняться условие (6.1.2) здесь d – толщина двойного электрического слоя на границе раздела сред.

№ слайда 45 Автоэлектронную эмиссию можно наблюдать в хорошо откачанной вакуумной трубке, ка
Описание слайда:

Автоэлектронную эмиссию можно наблюдать в хорошо откачанной вакуумной трубке, катодом которой служит острие, а анодом – обычный электрод с плоской или мало изогнутой поверхностью.

№ слайда 46 Напряженность электрического поля на поверхности острия с радиусом кривизны r и
Описание слайда:

Напряженность электрического поля на поверхности острия с радиусом кривизны r и потенциалом U относительно анода равна

№ слайда 47 При и что приводит к появлению слабого тока, обусловленного автоэлектронной эмис
Описание слайда:

При и что приводит к появлению слабого тока, обусловленного автоэлектронной эмиссией с поверхности катода. Сила эмиссионного тока быстро нарастает с повышением разности потенциалов U. Катод специально не разогревается, поэтому эмиссия и называется холодной. Закон Чайльда - Ленгмюра

№ слайда 48 Плотность тока АЭЭ равна где – коэффициент пропорциональности, определяемый геом
Описание слайда:

Плотность тока АЭЭ равна где – коэффициент пропорциональности, определяемый геометрией и материалом катода. Проще говоря, закон Чайльда-Ленгмюра показывает, что плотность тока пропорциональна (закон трех вторых).

№ слайда 49 Электронная микрофотография эмиттера с острийной поверхностью, полученного в г.
Описание слайда:

Электронная микрофотография эмиттера с острийной поверхностью, полученного в г. Дубне с использованием современных трековых методик. Острия – конусы высотой 6,6 мкм, диаметром 1,5 мкм. Радиус кривизны вершины 0,1 мкм. Концентрация 107 см 2

№ слайда 50 Взрывная электронная эмиссия (ВЭЭ). При плотности тока 108 А/см2 и большой конце
Описание слайда:

Взрывная электронная эмиссия (ВЭЭ). При плотности тока 108 А/см2 и большой концентрации энергии 104 Дж м–1 микроострия начинают взрываться и разрушаться. Инициируется качественно иной вид эмиссии, обусловленный взрывом микроострий на катоде. Ток электронов, на порядки превосходит начальный ток ААЭ – наблюдается взрывная электронная эмиссия (ВЭЭ). ВЭЭ была открыта и изучена в Томском политехническом институте в 1966 г. коллективом сотрудников под руководством Г.А. Месяца.

№ слайда 51 ВЭЭ – это единственный вид электронной эмиссии, позволяющий получить потоки элек
Описание слайда:

ВЭЭ – это единственный вид электронной эмиссии, позволяющий получить потоки электронов мощностью до 10 13 Вт с плотностью тока до 109 А/см2. Ток ВЭЭ необычен по структуре. Он состоит из отдельных порций электронов 1011 1012 штук, имеющих характер электронных лавин, получивших название эктонов (начальные буквы «explosive centre»). Время образования лавин 10 9 10 8 с.

№ слайда 52 Появление электронов в эктоне вызвано быстрым перегревом микроучастков катода и
Описание слайда:

Появление электронов в эктоне вызвано быстрым перегревом микроучастков катода и является, по существу, разновидностью термоэлектронной эмиссии. Прекращение эмиссии электронов в эктоне обусловлено охлаждением зоны эмиссии за счет теплопроводности, уменьшения плотности тока, испарения атомов.

№ слайда 53 Существование эктона проявляется в образовании кратера на поверхности катода. Вз
Описание слайда:

Существование эктона проявляется в образовании кратера на поверхности катода. Взрывная эмиссия электронов и эктоны играют фундаментальную роль в вакуумных искрах и дугах, в разрядах низкого давления, в сжатых и высокопрочных газах, в микропромежутках, т.е. там, где в наличии есть электрическое поле высокой напряженности на поверхности катода.

№ слайда 54 Явление взрывной электронной эмиссии послужило основой для создания импульсных э
Описание слайда:

Явление взрывной электронной эмиссии послужило основой для создания импульсных электрофизических установок, таких как сильноточные ускорители электронов, мощные импульсные и рентгеновские устройства, мощные релятивистские сверхвысокочастотные генераторы. Например, импульсные ускорители электронов имеют мощность 1013 Вт и более при длительности импульсов 10 10 10 6 с, токе электронов 106 А и энергии электронов 104 107 эВ. Такие пучки широко используются для исследований в физике плазмы, радиационной физике и химии, для накачки газовых лазеров и пр.

№ слайда 55 14.1.3. Фотоэлектронная эмиссия Фотоэлектронная эмиссия (фотоэффект) заключается
Описание слайда:

14.1.3. Фотоэлектронная эмиссия Фотоэлектронная эмиссия (фотоэффект) заключается в «выбивании» электронов из металла при действии на него электромагнитного излучения.

№ слайда 56 Схема установки для исследования фотоэффекта и ВАХ аналогичны термоэмиссии. Здес
Описание слайда:

Схема установки для исследования фотоэффекта и ВАХ аналогичны термоэмиссии. Здесь, вместо разогрева катода, на него направляют поток фотонов или - квантов.

№ слайда 57 В физических приборах, регистрирующих – излучение, используют фотоэлектронные ум
Описание слайда:

В физических приборах, регистрирующих – излучение, используют фотоэлектронные умножители (ФЭУ). Схема прибора приведена на рисунке.

№ слайда 58 В ФЭУ используют два эмиссионных эффекта: фотоэффект и вторичную электронную эми
Описание слайда:

В ФЭУ используют два эмиссионных эффекта: фотоэффект и вторичную электронную эмиссию, которая заключается в выбивании электронов из металла при бомбардировке последнего другими электронами. Электроны выбиваются светом из фотокатода (ФК). Ускоряясь между ФК и первым эмиттером (КС1), они приобретают энергию, достаточную, чтобы выбить большее число электронов из следующего эмиттера.

№ слайда 59 Умножение электронов происходит за счет увеличения их числа при последовательном
Описание слайда:

Умножение электронов происходит за счет увеличения их числа при последовательном прохождении разности потенциалов между соседними эмиттерами. Последний электрод называют коллектором. Регистрируют ток между последним эмиттером и коллектором. Таким образом, ФЭУ служит усилителем тока, а последний пропорционален излучению, попадающему на фотокатод, что и используют для оценки радиоактивности.

№ слайда 60 14.2. Контактные явления на границе раздела двух проводников Как показывает опыт
Описание слайда:

14.2. Контактные явления на границе раздела двух проводников Как показывает опыт, на контакте двух различных металлов образуется двойной электрический слой и соответствующая разность потенциалов:

№ слайда 61 Появление двойного электрического слоя обусловлено различием работ выхода электр
Описание слайда:

Появление двойного электрического слоя обусловлено различием работ выхода электронов из металлов. Чем она больше, тем меньше вероятность перехода электронами границы раздела. Поэтому со стороны металла с большей работой выхода накапливается отрицательный заряд, а с противоположной – положительный.

№ слайда 62 Это явление наблюдалось итальянским физиком Алессандро Вольта (1745 – 1827), кот
Описание слайда:

Это явление наблюдалось итальянским физиком Алессандро Вольта (1745 – 1827), который сформулировал два экспериментальных закона, известных как законы Вольта

№ слайда 63 Законы Вольты 1. На контакте двух разных металлов возникает разность потенциалов
Описание слайда:

Законы Вольты 1. На контакте двух разных металлов возникает разность потенциалов, которая зависит от химической природы и от температуры спаев. 2. Разность потенциалов на концах последовательно соединенных проводников не зависит от промежуточных проводников и равна разности потенциалов, возникающей при соединении крайних проводников при той же температуре (закон последовательных контактов Вольта).

№ слайда 64 Ряд Вольты. Потенциал каждого последующего металла в этом ряду ниже потенциала п
Описание слайда:

Ряд Вольты. Потенциал каждого последующего металла в этом ряду ниже потенциала предыдущего Опыт Вольты по доказательству существования контактной разности потенциалов

№ слайда 65 Результаты эксперимента можно объяснить с позиции классической электронной теори
Описание слайда:

Результаты эксперимента можно объяснить с позиции классической электронной теории. Если принять, что потенциал за пределами металла равен нулю, то энергия электрона внутри металла с потенциалом φi определится выражением (14.2.1)

№ слайда 66 При соединении двух разных металлов с работами выхода и возникает избыточный пер
Описание слайда:

При соединении двух разных металлов с работами выхода и возникает избыточный переход электронов из второго металла в первый, так как

№ слайда 67 В результате концентрация электронов n1 в металле 1 увеличивается, по сравнению
Описание слайда:

В результате концентрация электронов n1 в металле 1 увеличивается, по сравнению с n2, что порождает обратный избыточный поток электронного газа за счет диффузии, противоположный потоку, обусловленному разностью работ выхода.

№ слайда 68 Установившуюся разность потенциалов можно найти из выражения: Явление возникнове
Описание слайда:

Установившуюся разность потенциалов можно найти из выражения: Явление возникновения контактной разности потенциалов и ее зависимость от температуры называют прямым термоэлектрическим эффектом или эффектом Зеебека.

№ слайда 69 Эффект Зеебека (прямой термоэлектрический эффект) заключается в появлении разнос
Описание слайда:

Эффект Зеебека (прямой термоэлектрический эффект) заключается в появлении разности потенциалов в термопарах.

№ слайда 70 Электромагнит, питаемый током термоэлемента, способен удержать гирю весом в неск
Описание слайда:

Электромагнит, питаемый током термоэлемента, способен удержать гирю весом в несколько килограммов Эффективная демонстрация термоэлектрического тока может быть осуществлена в опыте, приведенном на рис. Толстая U-образная медная дуга перекрывается коротким мостиком 1 2 из константана или железа. Место спая 1 разогревается

№ слайда 71 Схема термопары состоящей из спая двух разных металлов 1 и 2, показана на рисунк
Описание слайда:

Схема термопары состоящей из спая двух разных металлов 1 и 2, показана на рисунке. На концах термопары возникает термоЭДС : (14.2.2) где Тг – температура горячего спая и Тx – температура холодного спая.

№ слайда 72 Таким образом – термоЭДС термопары: – постоянная термопары:
Описание слайда:

Таким образом – термоЭДС термопары: – постоянная термопары:

№ слайда 73 Эффектом Пельтье обратный термоэлектрический эффект. Он заключается в том, что п
Описание слайда:

Эффектом Пельтье обратный термоэлектрический эффект. Он заключается в том, что при пропускании тока через термопару, ее спай поглощает или выделяет тепло в зависимости от направления тока. Количество поглощенного тепла пропорционально плотности тока. (6.2.4) где П12 – коэффициент Пельтье, зависящий от материала контактирующих металлов.

№ слайда 74 ПРИМЕНЕНИЕ ТЕРМОПАР
Описание слайда:

ПРИМЕНЕНИЕ ТЕРМОПАР

№ слайда 75 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ Термопары относятся к классу термоэлектрических преобразователей,
Описание слайда:

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ Термопары относятся к классу термоэлектрических преобразователей, принцип действия которых основан на явлении Зеебека: если спаи двух разнородных металлов, образующих замкнутую электрическую цепь, имеют неодинаковую температуру (Т1 не равно Т2), то в цепи протекает электрический ток.

№ слайда 76    Таким образом, термопара может образовывать устройство, использующее термоэле
Описание слайда:

   Таким образом, термопара может образовывать устройство, использующее термоэлектрический эффект для измерения температуры. В сочетании с электроизмерительным прибором термопара образует термоэлектрический термометр. Измерительный прибор или электронную измерительную систему подключают либо к концам термоэлектродов (рис. 2,а), либо в разрыв одного из них (рис. 2,б).

№ слайда 77
Описание слайда:

№ слайда 78 В местах подключения проводников термопары к измерительной системе возникают доп
Описание слайда:

В местах подключения проводников термопары к измерительной системе возникают дополнительные термоЭДС. В результате их действия на вход измерительной системы фактически поступает сумма сигналов от рабочей термопары и от «термопар», возникших в местах подключения. Существуют различные способы избежать этого эффекта. Самым очевидным из них является поддержание температуры холодного спая постоянной.

№ слайда 79 Основные параметры термопар промышленного типа
Описание слайда:

Основные параметры термопар промышленного типа

№ слайда 80 ЗАВИСИМОСТЬ ЭДС
Описание слайда:

ЗАВИСИМОСТЬ ЭДС

№ слайда 81 ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕРМОМЕТРЫ Отечественная промышленность выпускает электронные термом
Описание слайда:

ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕРМОМЕТРЫ Отечественная промышленность выпускает электронные термометры для измерения температуры контактным способом. Так, например, одно из отечественных предприятий наладило производство серии измерителей температуры, каждый из которых состоит из электронного блока и набора сменных датчиков температуры, представляющих собой стандартные хромель-алюмелевые термопары (тип К)

№ слайда 82 ВНЕШНИЙ ВИД Миниатюрный и контактный термометр
Описание слайда:

ВНЕШНИЙ ВИД Миниатюрный и контактный термометр

№ слайда 83 ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ Надежность конструкции датчика, возможность работы в ши
Описание слайда:

ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ Надежность конструкции датчика, возможность работы в широком диапазоне температур, дешевизна, простота, удобство монтажа, возможность измерения локальной температуры, малая инерционность. Необходимость поддержания температуры холодного спая постоянной и нелинейность на некоторых участках.

№ слайда 84 ПРИМЕНЕНИЕ Измерение температур с помощью термопар получило широкое распростране
Описание слайда:

ПРИМЕНЕНИЕ Измерение температур с помощью термопар получило широкое распространение для измерения температуры различных объектов, а также в автоматизированных системах управления и контроля.

№ слайда 85 Электрический ток в полупроводниках Качественное отличие полупроводников от мета
Описание слайда:

Электрический ток в полупроводниках Качественное отличие полупроводников от металлов. Электронно-дырочный механизм проводимости чистых беспримесных полупроводников. Электронная и дырочная проводимость примесных полупроводников. Донорные и акцепторные примеси. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод. Транзистор.

№ слайда 86 К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний,
Описание слайда:

К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и др.), огромное количество сплавов и химических соединений. Почти все неорганические вещества окружающего нас мира – полупроводники. Самым распространенным в природе полупроводником является кремний, составляющий около 30 % земной коры.

№ слайда 87 Качественное отличие полупроводников от металлов проявляется прежде всего в зави
Описание слайда:

Качественное отличие полупроводников от металлов проявляется прежде всего в зависимости удельного сопротивления от температуры.

№ слайда 88 Зонная модель электронно-дырочной проводимости полупроводников При образовании т
Описание слайда:

Зонная модель электронно-дырочной проводимости полупроводников При образовании твердых тел возможна ситуация, когда энергетическая зона, возникшая из энергетических уровней валентных электронов исходных атомов, оказывается полностью заполненной электронами, а ближайшие, доступные для заполнения электронами энергетические уровни отделены от валентной зоны промежутком неразрешенных энергетических состояний – так называемой запрещенной зоной.

№ слайда 89 Выше запрещенной зоны расположена зона разрешенных для электронов энергетических
Описание слайда:

Выше запрещенной зоны расположена зона разрешенных для электронов энергетических состояний – зона проводимости. Зона проводимости при 0 К полностью свободна, а валентная зона полностью занята. Подобные зонные структуры характерны для кремния, германия, арсенида галлия (GaAs), фосфида индия (InP) и многих других твердых тел, являющихся полупроводниками (см. рис.).

№ слайда 90 При повышении температуры полупроводников и диэлектриков электроны способны полу
Описание слайда:

При повышении температуры полупроводников и диэлектриков электроны способны получать дополнительную энергию, связанную с тепловым движением kT. У части электронов энергии теплового движения оказывается достаточно для перехода из валентной зоны в зону проводимости, где электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться практически свободно

№ слайда 91 В этом случае, в цепи с полупроводниковым материалом по мере повышения температу
Описание слайда:

В этом случае, в цепи с полупроводниковым материалом по мере повышения температуры полупроводника будет нарастать электрический ток. Этот ток связан не только с движением электронов в зоне проводимости, но и с появлением вакантных мест от ушедших в зону проводимости электронов в валентной зоне, так называемых дырок

№ слайда 92 Вакантное место может быть занято валентным электроном из соседней пары, тогда д
Описание слайда:

Вакантное место может быть занято валентным электроном из соседней пары, тогда дырка переместиться на новое место в кристалле. Если полупроводник помещается в электрическое поле, то в упорядоченное движение вовлекаются не только свободные электроны, но и дырки, которые ведут себя как положительно заряженные частицы.

№ слайда 93 Поэтому ток I в полупроводнике складывается из электронного In и дырочного Ip то
Описание слайда:

Поэтому ток I в полупроводнике складывается из электронного In и дырочного Ip токов: I = In + Ip. Электронно-дырочный механизм проводимости проявляется только у чистых (т. е. без примесей) полупроводников. Он называется собственной электрической проводимостью полупроводников.

№ слайда 94 Электроны забрасываются в зону проводимости с уровня Ферми, который оказывается
Описание слайда:

Электроны забрасываются в зону проводимости с уровня Ферми, который оказывается в собственном полупроводнике расположенным посередине запрещенной зоны.

№ слайда 95 Существенно изменить проводимость полупроводников можно, введя в них очень небол
Описание слайда:

Существенно изменить проводимость полупроводников можно, введя в них очень небольшие количества примесей. В металлах примесь всегда уменьшает проводимость. Так, добавление в чистый кремний 10 3 % атомов фосфора увеличивает электропроводность кристалла в 105 раз. Небольшое добавление примеси к полупроводнику называется легированием. Если добавить пятивалентный атом фосфора в решетку кремния, то четыре валентных электрона фосфора вступят в связь с четырьмя соседними атомами кремния, у которого во внешней оболочке четыре электрона, а пятый электрон атома Р может достаточно легко отщепиться в результате теплового движения и перейти в зону проводимости (рис. 6.11).

№ слайда 96 Необходимым условием резкого уменьшения удельного сопротивления полупроводника п
Описание слайда:

Необходимым условием резкого уменьшения удельного сопротивления полупроводника при введении примесей является отличие валентности атомов примеси от валентности основных атомов кристалла. Проводимость полупроводников при наличии примесей называется примесной проводимостью.

№ слайда 97 Различают два типа примесной проводимости – электронную и дырочную проводимости.
Описание слайда:

Различают два типа примесной проводимости – электронную и дырочную проводимости. Электронная проводимость возникает, когда в кристалл германия с четырехвалентными атомами введены пятивалентные атомы (например, атомы мышьяка, As).

№ слайда 98
Описание слайда:

№ слайда 99 Четыре валентных электрона атома мышьяка включены в образование ковалентных связ
Описание слайда:

Четыре валентных электрона атома мышьяка включены в образование ковалентных связей с четырьмя соседними атомами германия. Пятый валентный электрон оказался излишним. Он легко отрывается от атома мышьяка и становится свободным. Атом, потерявший электрон, превращается в положительный ион, расположенный в узле кристаллической решетки.

№ слайда 100 Примесь из атомов с валентностью, превышающей валентность основных атомов полупр
Описание слайда:

Примесь из атомов с валентностью, превышающей валентность основных атомов полупроводникового кристалла, называется донорской примесью. В результате ее введения в кристалле появляется значительное число свободных электронов. Это приводит к резкому уменьшению удельного сопротивления полупроводника – в тысячи и даже миллионы раз. Удельное сопротивление проводника с большим содержанием примесей может приближаться к удельному сопротивлению металлического проводника.

№ слайда 101 Такая проводимость, обусловленная свободными электронами, называется электронной
Описание слайда:

Такая проводимость, обусловленная свободными электронами, называется электронной, а полупроводник, обладающий электронной проводимостью, называется полупроводником n-типа.

№ слайда 102 Дырочная проводимость возникает, когда в кристалл германия введены трехвалентные
Описание слайда:

Дырочная проводимость возникает, когда в кристалл германия введены трехвалентные атомы (например, атомы индия, In).

№ слайда 103 На рис. показан атом индия, который создал с помощью своих валентных электронов
Описание слайда:

На рис. показан атом индия, который создал с помощью своих валентных электронов ковалентные связи лишь с тремя соседними атомами германия. На образование связи с четвертым атомом германия у атома индия нет электрона. Этот недостающий электрон может быть захвачен атомом индия из ковалентной связи соседних атомов германия. В этом случае атом индия превращается в отрицательный ион, расположенный в узле кристаллической решетки, а в ковалентной связи соседних атомов образуется вакансия.

№ слайда 104 Примесь атомов, способных захватывать электроны, называется акцепторной примесью
Описание слайда:

Примесь атомов, способных захватывать электроны, называется акцепторной примесью. В результате введения акцепторной примеси в кристалле разрывается множество ковалентных связей и образуются вакантные места (дырки). На эти места могут перескакивать электроны из соседних ковалентных связей, что приводит к хаотическому блужданию дырок по кристаллу.

№ слайда 105 Концентрация дырок в полупроводнике с акцепторной примесью значительно превышает
Описание слайда:

Концентрация дырок в полупроводнике с акцепторной примесью значительно превышает концентрацию электронов, которые возникли из-за механизма собственной электропроводности полупроводника: np >> nn. Проводимость такого типа называется дырочной проводимостью. Примесный полупроводник с дырочной проводимостью называется полупроводником p-типа. Основными носителями свободного заряда в полупроводниках p-типа являются дырки.

№ слайда 106 Электронно-дырочный переход. В современной электронной технике полупроводниковые
Описание слайда:

Электронно-дырочный переход. В современной электронной технике полупроводниковые приборы играют исключительную роль. За последние три десятилетия они почти полностью вытеснили электровакуумные приборы. В любом полупроводниковом приборе имеется один или несколько электронно-дырочных переходов. Электронно-дырочный переход (или n–p-переход) – это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.

№ слайда 107 Электронно-дырочный переход. Таким образом, на границе полупроводников образуетс
Описание слайда:

Электронно-дырочный переход. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной электрический слой, электрическое поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу

№ слайда 108 Способность n–p-перехода пропускать ток практически только в одном направлении и
Описание слайда:

Способность n–p-перехода пропускать ток практически только в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами. Полупроводниковые диоды изготавливаются из кристаллов кремния или германия. При их изготовлении в кристалл c каким-либо типом проводимости вплавляют примесь, обеспечивающую другой тип проводимости.

№ слайда 109 Типичная вольт - амперная характеристика кремниевого диода
Описание слайда:

Типичная вольт - амперная характеристика кремниевого диода

№ слайда 110 Электронно-дырочный переход. Транзистор Полупроводниковые приборы не с одним, а
Описание слайда:

Электронно-дырочный переход. Транзистор Полупроводниковые приборы не с одним, а с двумя n–p-переходами называются транзисторами. Транзисторы бывают двух типов: p–n–p-транзисторы и n–p–n-транзисторы.

№ слайда 111 Электронно-дырочный переход. Транзистор В транзисторе n–p–n-типа основная герман
Описание слайда:

Электронно-дырочный переход. Транзистор В транзисторе n–p–n-типа основная германиевая пластинка обладает проводимостью p-типа, а созданные на ней две области – проводимостью n-типа. В транзисторе p – n – p – типа всё наоборот. Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом проводимости – коллектором (К), а вторую – эмиттером (Э).

№ слайда 112
Описание слайда:

№ слайда 113 Электронно-дырочный переход. Транзистор
Описание слайда:

Электронно-дырочный переход. Транзистор

№ слайда 114 Сверхпроводимость Существует одно явление, механизм которого оказалось возможным
Описание слайда:

Сверхпроводимость Существует одно явление, механизм которого оказалось возможным объяснить лишь в рамках квантовой теории. В 1908 г. голландскому физику Г. Камерлинг-Оннесу удалось получить жидкий гелий с температурой кипения 4,44 К. Метод получения жидкого гелия оказался очень сложным и малоэффективным, и в течение долгого времени лишь лаборатория Камерлинг-Оннеса в Лейдине производила жидкий гелий. При некоторой определенной температуре Tкр, различной для разных веществ, удельное сопротивление скачком уменьшается до нуля.

№ слайда 115 Изучая поведение сопротивления ртути, охлаждаемой до гелиевых температур, Камерл
Описание слайда:

Изучая поведение сопротивления ртути, охлаждаемой до гелиевых температур, Камерлинг-Оннес в 1911 г. впервые в мире наблюдал исчезновение сопротивления ртути практически до нуля. Это явление было названо сверхпроводимостью. Камерлинг-Оннес писал: «При 4,3 К сопротивление ртути уменьшается до 0,084 Ом, что составляет 0,0021 от значения сопротивления, которое имела бы твердая ртуть при 0 С (39,7 Ом). Обнаружено, что при 3 К сопротивление падает ниже 3 10-6 Ом, что составляет 10-7 от значения при 0 С». Отметим, что температурный интервал, в котором сопротивление уменьшалось до нуля, очень узок, и для некоторых металлов он составляет лишь 10-3 К.

№ слайда 116 В 1957 г. Дж. Бардином, Л. Купером, Дж. Шрифером дано квантово-механическое объя
Описание слайда:

В 1957 г. Дж. Бардином, Л. Купером, Дж. Шрифером дано квантово-механическое объяснение природы сверхпроводимости (теория БКШ). Было показано, что хотя между электронами действуют силы кулоновского отталкивания, тем не менее в твердых телах при температуре перехода в сверхпроводящее состояние Тс – критической температуре, между электронами начинают действовать силы притяжения, обусловленные обменом фононами между электронами.

№ слайда 117 Фононы – кванты упругих колебаний кристаллической решетки. Это притяжение привод
Описание слайда:

Фононы – кванты упругих колебаний кристаллической решетки. Это притяжение приводит к образованию связанных электронных пар – куперовских пар. Пары электронов уже не являются фермионами, и для них уже не действует принцип запрета Паули. Спаренные электроны являются бозонами – частицами с нулевым спином, и стремятся сконденсироваться. В результате такой конденсации образуется электрически заряженная, сверхтекучая электронная жидкость, обладающая свойствами сверхпроводимости.

№ слайда 118 Сверхпроводящее состояние является макроскопическим квантовым состоянием металла
Описание слайда:

Сверхпроводящее состояние является макроскопическим квантовым состоянием металла Электрон, движущийся среди положительно заряженных ионов, поляризует решетку т.е. электростатическими силами притягивает к себе ближайшие ионы. Благодаря такому смещению ионов в окрестности траектории электрона локально возрастает плотность положительного заряда. Второй электрон, движущийся вслед за первым, будет притягиваться областью с избыточным положительным зарядом. В результате косвенным образом за счет взаимодействия с решеткой между электронами 1 и 2 возникают силы притяжения(связанная куперовская пара).

№ слайда 119 Вещества в сверхпроводящем состоянии обладают исключительными свойствами. Практи
Описание слайда:

Вещества в сверхпроводящем состоянии обладают исключительными свойствами. Практически наиболее важным их них является способность длительное время (многие годы) поддерживать без затухания электрический ток, возбужденный в сверхпроводящей цепи. Научный интерес к сверхпроводимости возрастал по мере открытия новых материалов с более высокими критическими температурами.

№ слайда 120 Значительный шаг в этом направлении произошел в 1986 году, когда было обнаружено
Описание слайда:

Значительный шаг в этом направлении произошел в 1986 году, когда было обнаружено, что у одного сложного керамического соединения Tкр = 35 K. Уже в следующем 1987 году физики сумели создать новую керамику с критической температурой 98 К, превышающей температуру жидкого азота (77 К). Явление перехода веществ в сверхпроводящее состояние при температурах, превышающих температуру кипения жидкого азота, было названо высокотемпературной сверхпроводимостью. В 1988 году было создано керамическое соединение на основе элементов Tl–Ca–Ba–Cu–O с критической температурой 125 К.

№ слайда 121 Следует отметить, что до настоящего времени механизм высокотемпературной сверхпр
Описание слайда:

Следует отметить, что до настоящего времени механизм высокотемпературной сверхпроводимости керамических материалов до конца не выяснен.

№ слайда 122 Электрический ток в электролитах Электролиты. Носители зарядов в электролитах. Э
Описание слайда:

Электрический ток в электролитах Электролиты. Носители зарядов в электролитах. Электролиз. Электролитическая диссоциация. Закон Фарадея для электролиза. Объединенный закон Фарадея для электролиза.

№ слайда 123 Электролитами принято называть проводящие среды, в которых протекание электричес
Описание слайда:

Электролитами принято называть проводящие среды, в которых протекание электрического тока сопровождается переносом вещества. Носителями свободных зарядов в электролитах являются положительно и отрицательно заряженные ионы.

№ слайда 124 Основными представителями электролитов, широко используемыми в технике, являются
Описание слайда:

Основными представителями электролитов, широко используемыми в технике, являются водные растворы неорганических кислот, солей и оснований. Прохождение электрического тока через электролит сопровождается выделением веществ на электродах. Это явление получило название электролиза.

№ слайда 125 Электролиз Это совокупность процессов, протекающих в растворе или расплаве элект
Описание слайда:

Электролиз Это совокупность процессов, протекающих в растворе или расплаве электролита, при пропускании через него электрического тока. Электролиз является одним из важнейших направлений в электрохимии

№ слайда 126 Электрический ток в электролитах представляет собой перемещение ионов обоих знак
Описание слайда:

Электрический ток в электролитах представляет собой перемещение ионов обоих знаков в противоположных направлениях. Положительные ионы движутся к отрицательному электроду (катоду), отрицательные ионы – к положительному электроду (аноду). Ионы обоих знаков появляются в водных растворах солей, кислот и щелочей в результате расщепления части нейтральных молекул. Это явление называется электролитической диссоциацией.

№ слайда 127 Закон электролиза был экспериментально установлен английским физиком М. Фарадеем
Описание слайда:

Закон электролиза был экспериментально установлен английским физиком М. Фарадеем в 1833 году. Закон Фарадея определяет количества первичных продуктов, выделяющихся на электродах при электролизе: Масса m вещества, выделившегося на электроде, прямо пропорциональна заряду Q, прошедшему через электролит: m = kQ = kIt. Величину k называют электрохимическим эквивалентом.

№ слайда 128 Так как заряд иона равен произведению валентности вещества n на элементарный зар
Описание слайда:

Так как заряд иона равен произведению валентности вещества n на элементарный заряд e (q0 = ne), то выражение для электрохимического эквивалента k можно записать в виде : F = eNA – постоянная Фарадея. F = eNA = 96485 Кл / моль.

№ слайда 129 Постоянная Фарадея численно равна заряду, который необходимо пропустить через эл
Описание слайда:

Постоянная Фарадея численно равна заряду, который необходимо пропустить через электролит для выделения на электроде одного моля одновалентного вещества. Объединенный закон Фарадея для электролиза приобретает вид:

№ слайда 130 * Электролитические процессы *классифицируются следующим образом: получение неор
Описание слайда:

* Электролитические процессы *классифицируются следующим образом: получение неорганических веществ(водорода, кислорода, хлора, щелочей и т.д.) получение металлов(литий, натрий, калий, бериллий, магний, цинк, алюминий, медь и т.д.) очистка металлов(медь, серебро,…) получение металлических сплавов получение гальванических покрытий обработка поверхностей металлов(азотирование, борирование, электрополировка, очистка) получение органических веществ электродиализ и обессоливание воды нанесение пленок при помощи электрофореза

№ слайда 131 Практическое применение электролиза Электрохимические процессы широко применяютс
Описание слайда:

Практическое применение электролиза Электрохимические процессы широко применяются в различных областях современной техники, в аналитической химии, биохимии и т. д. В химической промышленности электролизом получают хлор и фтор, щелочи, хлораты и перхлораты, надсерную кислоту и персульфаты, химически чистые водород и кислород и т. д. При этом одни вещества получают путем восстановления на катоде (альдегиды, парааминофенол и др.), другие электроокислением на аноде (хлораты, перхлораты, перманганат калия и др.). Электролиз в гидрометаллургии является одной из стадий переработки металлсодержащего сырья, обеспечивающей получение товарных металлов. Электролиз может осуществляться с растворимыми анодами - процесс электрорафинирования или с нерастворимыми - процесс электроэкстракции. Главной задачей при электрорафинировании металлов является обеспечения необходимой чистоты катодного металла при приемлемых энергетических расходах.

№ слайда 132 В цветной металлургии электролиз используется для извлечения металлов из руд и и
Описание слайда:

В цветной металлургии электролиз используется для извлечения металлов из руд и их очистки. Электролизом расплавленных сред получают алюминий, магний, титан, цирконий, уран, бериллий и др. Для рафинирования (очистки) металла электролизом из него отливают пластины и помещают их в качестве анодов в электролизер. При пропускании тока металл, подлежащий очистке, подвергается анодному растворению, т. е. переходит в раствор в виде катионов. Затем эти катионы металла разряжаются на катоде, благодаря чему образуется компактный осадок уже чистого металла. Примеси, находящиеся в аноде, либо остаются нерастворимыми, либо переходят в электролит и удаляются. Cхема электролитического рафинирования меди

№ слайда 133 Гальванотехника – область прикладной электрохимии, занимающаяся процессами нанес
Описание слайда:

Гальванотехника – область прикладной электрохимии, занимающаяся процессами нанесения металлических покрытий на поверхность как металлических, так и неметаллических изделий при прохождении постоянного электрического тока через растворы их солей. Гальванотехника подразделяется на гальваностегию и гальванопластику. Гальваностегия (от греч. покрывать) – это электроосаждение на поверхность металла другого металла, который прочно связывается (сцепляется) с покрываемым металлом (предметом), служащим катодом электролизера. Перед покрытием изделия необходимо его поверхность тщательно очистить (обезжирить и протравить), в противном случае металл будет осаждаться неравномерно, а кроме того, сцепление (связь) металла покрытия с поверхностью изделия будет непрочной. Способом гальваностегии можно покрыть деталь тонким слоем золота или серебра, хрома или никеля. С помощью электролиза можно наносить тончайшие металлические покрытия на различных металлических поверхностях. При таком способе нанесения покрытий, деталь используют в качестве катода, помещенного в раствор соли того металла, покрытие из которого необходимо получить. В качестве анода используется пластинка из того же металла.

№ слайда 134 Гальванопластика – получение путем электролиза точных, легко отделяемых металлич
Описание слайда:

Гальванопластика – получение путем электролиза точных, легко отделяемых металлических копий относительно значительной толщины с различных как неметаллических, так и металлических предметов, называемых матрицами. С помощью гальванопластики изготовляют бюсты, статуи и т. д. Гальванопластика используется для нанесения сравнительно толстых металлических покрытий на другие металлы (например, образование "накладного" слоя никеля, серебра, золота и т. д.).

№ слайда 135 Кроме указанных выше, электролиз нашел применение и в других областях: получение
Описание слайда:

Кроме указанных выше, электролиз нашел применение и в других областях: получение оксидных защитных пленок на металлах (анодирование); электрохимическая обработка поверхности металлического изделия (полировка); электрохимическое окрашивание металлов (например, меди, латуни, цинка, хрома и др.); очистка воды – удаление из нее растворимых примесей. В результате получается так называемая мягкая вода (по своим свойствам приближающаяся к дистиллированной); электрохимическая заточка режущих инструментов (например, хирургических ножей, бритв и т.д.).

№ слайда 136
Описание слайда:

№ слайда 137 Лекция окончена. Сегодня: * До свидания! УРА! УРА! УРА!
Описание слайда:

Лекция окончена. Сегодня: * До свидания! УРА! УРА! УРА!

№ слайда 138
Описание слайда:

Скачать эту презентацию

Презентации по предмету
Презентации из категории
Лучшее на fresher.ru