Презентация на тему: Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
GaAs – материал, сочетает преимущества Si (технология получения, формирование приборных структур) и SiC – широкий диапазон рабочих температур (до 250 oC), широкий диапазон рабочих частот – десятки и сотни ГГц, вполне оправданно занимает нишу между Si и SiC. Не претендуя на замену ни Si, ни SiC, GaAs позволяет достаточно технологично и относительно недорого изготавливать широкую гамму полупроводниковых приборов, начиная от самых маломощных и, заканчивая, силовыми полупроводниковыми приборами. Быстродействие полупроводниковых приборов на GaAs на примере такого параметра как «Время восстановления обратного сопротивления» силовых диодов может составлять единицы нс без радиационной обработки.
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
- малых габаритов устройств при неизменных рабочих напряжениях и токах, за счёт перехода на более высокие частоты преобразования; - малых габаритов устройств при неизменных рабочих напряжениях и токах, за счёт перехода на более высокие частоты преобразования; - меньших потерь активной мощности, обусловленных протеканием обратных токов в GaAs диодах; - высокой эффективности преобразовательных устройств за счёт быстрого восстановления обратного сопротивления GaAs диодов. Разработанные высоковольтные, высокотемпературные, быстродействующие GaAs- диоды имеют низкие значения времени trr во всём диапазоне рабочих температур кристалла (-60÷250 оС). К дополнительным достоинствам следует отнести малую ёмкость диодной структуры, слабо зависимую от обратного напряжения.
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
1 P-i-n − GaAs диоды показали высокую устойчивость к лавинному пробою (энергостойкость); 1 P-i-n − GaAs диоды показали высокую устойчивость к лавинному пробою (энергостойкость); 2 P-i-n − GaAs диоды показали высокие эксплуатационные характеристики и работоспособность при температуре окружающей среды − +250 oС и продемонстрировали возможность работы в экстремальных условиях (в два раза выше требований военных стандартов «Климат-7» и стандарта США − MIL- STD-883); 3 Результаты проведённых испытаний p-i-n − GaAs диодов указывают на реальную возможность широкого применения полупроводниковых приборов на основе GaAs в области силовой, быстродействующей, высокотемпературной электроники.
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Одной из актуальных задач, с научной, технико-технологической и коммерческой точек зрения, является создание высококачественных высоковольтных СВЧ-транзисторов, работающих в сантиметровом диапазоне длин волн с возможностью применения во вторичных источниках питания. Разработка и изготовление подобных быстродействующих транзисторов возможна на основе AlGaAs/GaAs – гетеротранзисторных структур. Одной из актуальных задач, с научной, технико-технологической и коммерческой точек зрения, является создание высококачественных высоковольтных СВЧ-транзисторов, работающих в сантиметровом диапазоне длин волн с возможностью применения во вторичных источниках питания. Разработка и изготовление подобных быстродействующих транзисторов возможна на основе AlGaAs/GaAs – гетеротранзисторных структур.
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
Современная электронная компонентная база на основе арсенида галлия
