PPt4Web Хостинг презентаций

Главная / Окружающий мир / ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ
X Код для использования на сайте:

Скопируйте этот код и вставьте его на свой сайт

X

Чтобы скачать данную презентацию, порекомендуйте, пожалуйста, её своим друзьям в любой соц. сети.

После чего скачивание начнётся автоматически!

Кнопки:

Презентация на тему: ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ


Скачать эту презентацию

Презентация на тему: ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ


Скачать эту презентацию



№ слайда 1 ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ
Описание слайда:

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ «ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ»

№ слайда 2 Цель: сформировать у слушателей компетентность в области конструирования, технол
Описание слайда:

Цель: сформировать у слушателей компетентность в области конструирования, технологии производства и моделировании проводниковых приборов и интегральных микросхем Цель: сформировать у слушателей компетентность в области конструирования, технологии производства и моделировании проводниковых приборов и интегральных микросхем Категория обучаемых: инженеры-конструкторы всех категорий, инженеры-технологи всех категорий Форма обучения: с отрывом от работы Срок обучения: 72 академических часа

№ слайда 3
Описание слайда:

№ слайда 4
Описание слайда:

№ слайда 5
Описание слайда:

№ слайда 6 ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегра
Описание слайда:

ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Рассматриваются физические основы полупроводников, полупроводниковых приборов и элементов ИМС, применяемые в их производстве материалы, технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, устройство и номенклатура приборов. Изучается расчет и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС.

№ слайда 7 ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупро
Описание слайда:

ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Рассматривается состав и структура пакета программ моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD. Изучаются программы создания моделей полупроводниковых приборов SEditor и физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов SDevice. Даются общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN и их новых возможностях. Рассматриваются особенности технологии и конструирования быстро восстанавливающихся высоковольтных GaAs p-i-n диодов, СВЧ транзисторов, диодов Шоттки на карбиде кремния и нитриде галлия.

№ слайда 8 Университет располагает квалифицированными кадрами, комплексом оборудования и ли
Описание слайда:

Университет располагает квалифицированными кадрами, комплексом оборудования и лицензионными пакетами программ для подготовки и переподготовки специалистов в области производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Университет располагает квалифицированными кадрами, комплексом оборудования и лицензионными пакетами программ для подготовки и переподготовки специалистов в области производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

№ слайда 9 В производственно-технологической деятельности: В производственно-технологическо
Описание слайда:

В производственно-технологической деятельности: В производственно-технологической деятельности: ПК1.1.1 Готовность внедрять результаты разработок в производство

№ слайда 10 В проектно-конструкторской деятельности: В проектно-конструкторской деятельности
Описание слайда:

В проектно-конструкторской деятельности: В проектно-конструкторской деятельности: ПК 1.2.1 Способность проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов ПК 1.2.2 Готовность выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования ПК 1.2.3 Готовность осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам

№ слайда 11 В научно-исследовательской деятельности: В научно-исследовательской деятельности
Описание слайда:

В научно-исследовательской деятельности: В научно-исследовательской деятельности: Способность собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно-техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроники ПК 1.3.2 Способность аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения ПК 1.3.3 Готовность анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций

№ слайда 12
Описание слайда:

№ слайда 13
Описание слайда:

№ слайда 14
Описание слайда:

Скачать эту презентацию


Презентации по предмету
Презентации из категории
Лучшее на fresher.ru