PPt4Web Хостинг презентаций

Главная / Физика / Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния
X Код для использования на сайте:

Скопируйте этот код и вставьте его на свой сайт

X

Чтобы скачать данную презентацию, порекомендуйте, пожалуйста, её своим друзьям в любой соц. сети.

После чего скачивание начнётся автоматически!

Кнопки:

Презентация на тему: Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния


Скачать эту презентацию

Презентация на тему: Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния


Скачать эту презентацию



№ слайда 1 ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ
Описание слайда:

ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ

№ слайда 2 Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокрист
Описание слайда:

Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов фосфора. Энергия имплантованных ионов - Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2

№ слайда 3 Для реализации цели:Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристальн
Описание слайда:

Для реализации цели:Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра;Использовано численные методы решения системы дифференциальных уравнений, описывающие процессы рассеяния рентгеновских лучей в искаженных кристаллах

№ слайда 4 1 исходная 2 имплантация Образец кремния схематично Исходная область Ионная импл
Описание слайда:

1 исходная 2 имплантация Образец кремния схематично Исходная область Ионная имплантация: фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)

№ слайда 5 КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕ И – источник рентг. излуче
Описание слайда:

КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕ И – источник рентг. излучения Щ – щель П – пленка К – кристалл Основное условие: Схема эксперимента Схематическое представление особенный значений азимутального угла поворота при повороте кристалла вокруг вектора дифракции 0 < 0 cos tgBctg дифракция Лауэ; 00 cos

№ слайда 6 а) Lext=2,1мкм б) Lext=1,05мкм в) Lext=0,75мкм Х-лучевые топограмы монокристала
Описание слайда:

а) Lext=2,1мкм б) Lext=1,05мкм в) Lext=0,75мкм Х-лучевые топограмы монокристала Si: CuKα-излучение, входящая плоскость (111) 1 1 1 2 2 2 1-исходная область; 2-имплантированаяс 17 Топография монокристалов Si

№ слайда 7 б) а) Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Si а) исходная облас
Описание слайда:

б) а) Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Si а) исходная область б) имплантированая область 18 0,373 0,273 4,756 2 (имплонтированая) 0,201 0,150 1,725 1 (исходная) Rq, mkm Ra, mkm Z, mkm № Атомно-силовая микроскопия образца Si

№ слайда 8 Рентгеновская трубка монохроматор исследуемый образец детектор Схема трехосного
Описание слайда:

Рентгеновская трубка монохроматор исследуемый образец детектор Схема трехосного рентгеновского дифрактометра Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD PRO. используется для измерения кривых дифракционного отражения (КДО). На трехосном дифрактометре фирмы “Philips” находится: на первой оси- германиевый монохроматор из четырехкратным отражением, на второй – исследуемый образец, на третьей кристалл - анализатор .

№ слайда 9 Кривые дифракционного отражения монокристалла Si
Описание слайда:

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si

№ слайда 10 Кривые дифракционного отражения монокристалла Si: сопоставление теоретической и
Описание слайда:

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si: сопоставление теоретической и экспериментальных кривых -600 -400 -200 0 200 400 600 ∆θ lg(I/I0) отражение (333), CuКα - излучение 1 – экспериментальная кривая, 2 – теоретически рассчитанная кривая. 1 2 0 500 1000 1500 2000 2500 Z, нм 210-1-2 ∆d/d *10-3 Профиль деформации в приповерхностных слоях кристалла, имплантированного ионами фосфора 0 2000 4000 6000 8000 Z,E 6 5 4 3 2 n*10-19 1 Распределение имплантированных ионов фосфора в кристалле кремния, полученное с помощью программного пакета SRIM-2003

№ слайда 11 Выводы:.Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменен
Описание слайда:

Выводы:.Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменению характеристик и формы кривых качания, особенно их “хвостов”, относительно исходной части образца. Наблюдается также незначительное увеличение полуширины кривых качания и отношения интегральной интенсивности к высоте максимума кривой.Из полученного распределения имплантированных ионов следует, что максимальное значение концентрации имплантанта n=5.75·1019&nbsp;см-3 наблюдается на глубине порядка ~2500Å. Исходя из численных решений уравнений Такаги – Топена, а также из расчетов на основании обобщенной динамической теории дифракции рентгеновских лучей построен профили деформации в поверхностных слоях кремния Оценены средний радиус и концентрация микродефектов: дискообразные кластеры – размер ~0,5&nbsp;мкм, концентрация ~&nbsp;107÷108&nbsp;см-3; сферические кластеры – размер ~0,011&nbsp;мкм, концентрация ~1012÷1013&nbsp;см-3 ; дислокационные петли – размер ~0,7&nbsp;мкм, концентрация ~108÷109&nbsp;см-3 Определенная с помощью атомно-силовой микроскопии высота Rа характерного рельефа неровностей на имплантированной ионами поверхности, равна ~0,273&nbsp;нм

Скачать эту презентацию


Презентации по предмету
Презентации из категории
Лучшее на fresher.ru