PPt4Web Хостинг презентаций

Главная / Физика / Полевые транзисторы
X Код для использования на сайте:

Скопируйте этот код и вставьте его на свой сайт

X

Чтобы скачать данную презентацию, порекомендуйте, пожалуйста, её своим друзьям в любой соц. сети.

После чего скачивание начнётся автоматически!

Кнопки:

Презентация на тему: Полевые транзисторы


Скачать эту презентацию

Презентация на тему: Полевые транзисторы


Скачать эту презентацию



№ слайда 1 Полевые транзисторы Выполнил: ГБОУ РМ (ССУЗ) «АИТ» В.Б.СИДОРОВА – преподаватель.
Описание слайда:

Полевые транзисторы Выполнил: ГБОУ РМ (ССУЗ) «АИТ» В.Б.СИДОРОВА – преподаватель. 900igr.net

№ слайда 2 Определение: Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый п
Описание слайда:

Определение: Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

№ слайда 3 Классификация полевых транзисторов
Описание слайда:

Классификация полевых транзисторов

№ слайда 4 Схема и структура полевого транзистора
Описание слайда:

Схема и структура полевого транзистора

№ слайда 5 Вольт-амперные характеристики При неизменном напряжении Uзи определяют стоковые
Описание слайда:

Вольт-амперные характеристики При неизменном напряжении Uзи определяют стоковые или выходные свойства полевого транзистора при зависимости тока стока Iс от Uси напряжения. На стартовом участке характеристик электроэнергия стока возрастает с увеличением Uси, далее осуществляется перекрытие канала, и прирост тока Iс останавливается.

№ слайда 6 Полевой транзистор со встроенным каналом
Описание слайда:

Полевой транзистор со встроенным каналом

№ слайда 7 Принцип работы С - сток, И - исток, З - затвор 1.На затворе нету потенциала, под
Описание слайда:

Принцип работы С - сток, И - исток, З - затвор 1.На затворе нету потенциала, подаём разность потенциалов на сток и исток(допустим на сток + а на исток -, хотя без разницы) на исток. Ток при этом проходит через транзистор, точнее через n+ слой, так как имеются носители заряда - электроны. Ток через p слой не течёт вследствие подсоединения к нему отрицательного потенциала напряжения от истока.(этот случай соответствует рисунку) 2.Уменьшаем потенциал затвора (U0), при положительном потенциале вследствие того же эффекта поля положительный потенциал уже притягивает электроны, поэтому канал расширяется за счёт электронов под истоком и стоком и ток при напряжении насыщения становится максимальным. Нетрудно догадаться, что при максимальном токе глубина n слоя везде одинакова.

№ слайда 8 Полевой транзистор с индуцированным каналом . мального тока при максимальном кан
Описание слайда:

Полевой транзистор с индуцированным каналом . мального тока при максимальном канале.

№ слайда 9 условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б -
Описание слайда:

условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою.

№ слайда 10 ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Напряжение отсечки Uотс Крутизна характе
Описание слайда:

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Напряжение отсечки Uотс Крутизна характеристики: S=∆Iс/∆Uзи при U с=const Входное сопротивление : Rвх =∆ Uзи max ∆Iз max Выходное сопротивление: Rвых = ∆ Uс при Uзи = сonst ∆Iс

Скачать эту презентацию


Презентации по предмету
Презентации из категории
Лучшее на fresher.ru