PPt4Web Хостинг презентаций

Главная / Физика / Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик
X Код для использования на сайте:

Скопируйте этот код и вставьте его на свой сайт

X

Чтобы скачать данную презентацию, порекомендуйте, пожалуйста, её своим друзьям в любой соц. сети.

После чего скачивание начнётся автоматически!

Кнопки:

Презентация на тему: Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик


Скачать эту презентацию

Презентация на тему: Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик


Скачать эту презентацию



№ слайда 1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет 1 1886 Технол
Описание слайда:

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет 1 1886 Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик

№ слайда 2 Мультиферроики
Описание слайда:

Мультиферроики

№ слайда 3 Материалы, обладающие пьезоэлектрическим или электрострикционным эффектом Матери
Описание слайда:

Материалы, обладающие пьезоэлектрическим или электрострикционным эффектом Материалы, обладающие магнитострикционным эффектом BiFeO3 Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 YbMnO3 BiМnO3 LaMnO3 Однофазные мультиферроики, обладающие магнитодиэлектрическим эффектом CoFe2O4LiFe2O4Y3Fe5O12 BaTiO3PbZr1-xTixO3Ba0.8Pb0.2TiO3(1-x)[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]-x[PbTiO3].

№ слайда 4 Толщины слоев: BSTO: 0.5 – 1.5 мкм YIG: 5 – 8 мкм Подложка: 300 – 500 мкм Способ
Описание слайда:

Толщины слоев: BSTO: 0.5 – 1.5 мкм YIG: 5 – 8 мкм Подложка: 300 – 500 мкм Способы формирования искуственных мультиферроидных сред

№ слайда 5
Описание слайда:

№ слайда 6 * Dielectric substrate Ferroelectric Film b Dielectric substrate Ferrite Film Fe
Описание слайда:

* Dielectric substrate Ferroelectric Film b Dielectric substrate Ferrite Film Ferroelectric Film Dielectric substrate Dk, 1/cm w, mm d1L, mm Электродинамическое взаимодействие Электрическая и магнитная перестройка дисперсионных кривых

№ слайда 7 * Pt ГГГ ЖИГ ЖИГ Pt ГГГ ГГГ ЖИГ ЖИГ ГГГ БСТ Cu U СВЧ а б Резонатор на основе стр
Описание слайда:

* Pt ГГГ ЖИГ ЖИГ Pt ГГГ ГГГ ЖИГ ЖИГ ГГГ БСТ Cu U СВЧ а б Резонатор на основе структуры феррит-сегнетоэлектрик щелевая линия

№ слайда 8 1 – вакуумный колпак установки УВР3-29; 2 – держатель и нагреватель подложек; 3
Описание слайда:

1 – вакуумный колпак установки УВР3-29; 2 – держатель и нагреватель подложек; 3 – порошковая мишень ( 120 мм)

№ слайда 9 * Дифрактограмма BSTO (x=0.5) пленки выращенной на ферритовой подложке.
Описание слайда:

* Дифрактограмма BSTO (x=0.5) пленки выращенной на ферритовой подложке.

№ слайда 10 Рисунок 7 - Слоистая структура идеальный металл–диэлектрик–СЭП–диэлектрический б
Описание слайда:

Рисунок 7 - Слоистая структура идеальный металл–диэлектрик–СЭП–диэлектрический буферный слой–пленка ферритадиэлектрик–идеальный метал и ее электродинамическая модель. XPS спектр слоистой структуры BSTO/YIG/GGG

№ слайда 11 Характеристики исследованных образцов Номер обр. 225 223 575 85 Подложка LAO YIG
Описание слайда:

Характеристики исследованных образцов Номер обр. 225 223 575 85 Подложка LAO YIG поликор Толщина пленки, м 0.950 0.75 0.4 0,9 Постоянная решетки d, А 3.982 3.954 3.962 3.981 (300K, 0 V) 2200 1545 1910 1575 tg(300K, 0 V) 0.005 0.011 0.017 0,018 Коэффициент управляемости K (300K, 200V) 1.4 2.1 1.43 1.6

№ слайда 12 Установка для измерения диэлектрических характеристик и электропроводности Плана
Описание слайда:

Установка для измерения диэлектрических характеристик и электропроводности Планарный сегнетоконденсатор

№ слайда 13 * Результаты измерений диэлектрических характеристик исследуемых пленок Номер об
Описание слайда:

* Результаты измерений диэлектрических характеристик исследуемых пленок Номер обр. 353S 353F подложка сапфир (0.53мм) ГГГ (0.6мм)/ЖИГ (7 мкм) Тощина пленки, мкм 0.59 0.82 C0, пФ 0.41 0.56 K 1.32 1.20 e 600 620 tg(d) 0.002 0.0014

№ слайда 14 Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора н
Описание слайда:

Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353S Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353F

№ слайда 15 ВФХ конденсаторов в магнитном поле
Описание слайда:

ВФХ конденсаторов в магнитном поле

№ слайда 16 8 Пленка Ba0,5Sr0,5TiO3 с содержанием Mn 15 вес.% ВФХ структуры металл/BST(Mn)/G
Описание слайда:

8 Пленка Ba0,5Sr0,5TiO3 с содержанием Mn 15 вес.% ВФХ структуры металл/BST(Mn)/GGG в магнитном поле

Скачать эту презентацию


Презентации по предмету
Презентации из категории
Лучшее на fresher.ru