Презентация на тему: Исследование свойств полупроводниковых приборов

Исследование свойств полупроводниковых приборов Авторы работы: Шматков Павел Головачев Алексей Никитин Степан

Цель работы Показать необходимость дальнейшего развития полупроводниковой отрасли (несмотря на чувствительность к внешним факторам : повышение температуры, электрические перегрузки, проникающее излучение) производства путем выявления преимуществ над остальными отраслями научной сферы.

XX и XXI век характеризуется развитием полупроводниковой электроники и микроэлектроники. Это привело к изменению мировой экономики, основанной на новых информационных технологиях. XX и XXI век характеризуется развитием полупроводниковой электроники и микроэлектроники. Это привело к изменению мировой экономики, основанной на новых информационных технологиях.

Компании-лидеры по производству полупроводников

Солнечная энергия

Жорес Алферов Статья Жореса Алферова: «Перспективы развития нанотехнологий»

Полупроводники – вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуточное место между проводимостью металлов и диэлектриков. Полупроводники – вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуточное место между проводимостью металлов и диэлектриков. Полупроводник – это материал, который проводит электричество лучше, чем такой диэлектрик, как каучук, но не так хорошо, как хороший проводник, например медь. В отличие от металлов, электропроводность полупроводников с повышением температуры и освещенности возрастает.

ТРАНЗИСТОР С p-n-p ПЕРЕХОДОМ ТРАНЗИСТОР С ПЕРЕХОДОМ типа n-p-n или p-n-p. Показаны эмиттер, коллектор и база. Транзисторы такого типа применяются в качестве усилителей.

Точечный транзистор Две заостренные проволочки прижаты к полупроводниковому кристаллу n-типа (германий), припаянному к металлическому кристаллодержателю. 1 – латунный или иной кристаллодержатель; 2 – области p-типа; 3 – припой или золотой сплав (контакт базы); 4 – кристалл n-типа; 5 – эмиттерный точечный контакт (бериллиевая бронза); 6 – коллекторный точечный контакт (фосфористая бронза); 7 – область n-типа.

Сплавной плоскостной транзистор

Диффузионный транзистор 1 – базовая область p-типа; 2 – коллекторный переход; 3 – слой диоксида кремния; 4 – коллекторный контакт; 5 – микрокристалл кремния; 6 – вывод базы; 7 – эмиттерный вывод; 8 – электрическое соединение золото – кремний; 9 – металлический кристаллодержатель; 10 – напыленный электрод; 11 – эмиттерная область n-типа; 12 – эмиттерный переход

Планарные биполярные транзисторы Термин «планарные» означает, что все переходы выходят на поверхность, где они могут быть защищены слоем диоксида кремния. Используются носители обоих типов – и электроны, и дырки, в отличие от полевых транзисторов Существуют два вида транзисторных структур – из объемного материала и эпитаксиальная. Первая создается просто на поверхности пластинки из «массивного» кремния. Такой транзистор имеет тот недостаток, что у него большое последовательное сопротивление коллектора, нежелательное в случае переключающего устройства. Этот недостаток отсутствует при использовании эпитаксиального материала – тонкого слоя кремния с высоким удельным сопротивлением (в котором может быть создана транзисторная структура), выращенного поверх толстого слоя сильно легированного материала

Полевой транзистор Для изготовления МОП-транзисторов используется высокоомный кремний p- или n-типа. В кремнии p-типа методом диффузии создаются две сильно легированные близлежащие области n-типа. Одна из них, называемая истоком, является входной. Другая – сток – служит выходом. Над узкой промежуточной областью наращивается тонкий изолирующий слой (толщиной 200 нм и менее) диоксида кремния. На него наносят слой металла или кремния, который служит управляющим электродом. При подаче на управляющий электрод положительного напряжения возникает сильное электрическое поле, которое притягивает электроны к поверхности кремния, и образуется проводящий канал n-типа, соединяющий исток со стоком. Режим с положительным напряжением называется режимом обогащения. Можно изготавливать приборы, открытые в отсутствие внешнего напряжения. Отрицательное напряжение в них сужает канал и повышает его сопротивление; такой режим называется режимом обеднения. Изготавливаются также транзисторы с каналом p-типа

Тиристоры

Тепловые сопротивления (термисторы) Полупроводники: Применение в качестве чувствительных термометров при дистанционных измерениях Использование в качестве термометров для замера температур окружающей среды Термистор(видео – опыт)

Термисторы: широкое применение в технике применяют как регуляторы температуры, контролирование температуры в большом числе точек в приборах для измерения утечки газа, для дистанционного измерения влажности, для измерения высоких давлений, механических напряжений, скорости или количества протекающих жидкости, скорости движения

Фоторезистор (видео) Когда на транзистор падает свет достаточно большой энергии, т.е. с достаточно малой длиной волны, в нем освобождаются электронно-дырочные пары. Если пары возникают вблизи p-n-перехода с напряжением обратного смещения, они могут диффундировать в область перехода. Один из носителей может быть ускорен напряжением, имеющимся на переходе, и тогда он приобретает способность освобождать дополнительные заряды в процессах столкновения. В материале n-типа ускоряется дырка, в материале p-типа – электрон. Поскольку заряды несут ток через переход, он возникает и во внешней цепи, т.е. свет преобразуется в электрический ток.

Фоторезистор Использование: 1. Регистрация и изменения слабых световых потоков. 2. Обнаружение инфракрасных лучей. 3. В автоматических устройствах, служащих для подсчета изделий движущихся на конвейере, контроля их размеров Например, турникет в метро работает именно по такому принципу.

Вывод Изучив литературу о полупроводниках, мы пришли в выводу, что полупроводники имеют существенные преимущества над остальными проводящими элементами: Миниатюрность Долговечность Высокая чувствительность Возможность использования источников тока с малым рабочим напряжением Низкое энергопотребление Экономичность

Ближайшее будущее полупроводников Нанотехнологии: На основании вышеприведенных таблиц и графиков можно сделать вывод, что нанотехнологическая промышленность является самой перспективной отраслью на сегодняшний день и находит свое применение практически во всех сферах жизни человека и общества. Несмотря на бурное развитие биотехнологий, появление биочипов сохранит востребованность очень долго. Именно поэтому, современная, и прежде всего, полупроводниковая, электроника, которую сегодня можно называть наноэлектроникой, является самым мощным потребителем научных исследований, в том числе фундаментальных, и, безусловно, прикладных. Следовательно, необходимо усиленно развивать это направление науки.

Ресурсы 1. «Основы наноэлектроники» Драгунов В.П. учеб. пособие /В.П. Драгунов, И.П. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 332 с. 2. «Полупроводниковые приборы:» Пасынков В.В. Учебник для вузов /В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 6-е изд., стер. СПб.: Лань, 2002. 480 с. 3. «Демонстрационный эксперимент по физике в старших классах средней школы» В.А Буров , Б.С. Зворыкин т. II, под редакцией А.А. Покровского, «Просвещение» 1972 год 449 с.

Спасибо за внимание !!!

Собственная проводимость полупроводников Собственная проводимость – проводимость идеальных чистых полупроводников(без примесей) Делится на электронную и дырочную.

Собственная проводимость полупроводников Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока – электронов (на уровне вблизи дна зоны); одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях, в результате чего появляются дырки.

Примесная проводимость полупроводников Примесная проводимость возникает, если некоторые атомы данного полупроводника заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов Изменяя концентрацию примеси, можно значительно изменять число носителей заряда того или иного знака. Благодаря этому можно создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей

Примесная проводимость полупроводников Донорные примеси При наличии примесей концентрация свободных электронов значительно возрастает и становится в тысячу раз больше концентрации свободных электронов в чистом полупроводнике. Примеси, легко отдающие электроны, называют донорными, и такие полупроводники являются полупроводниками n-типа. В полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями заряда, а дырки — не основными

Примесная проводимость полупроводников Акцепторные примеси Для образования нормальных парно-электронных связей с соседями атому, например, индия не достает электрона. В результате образуется дырка. Число дырок в кристалле равно числу атомов примеси. Такого рода примеси называют акцепторными (принимающими). При наличии электрического поля дырки перемещаются по полю и возникает дырочная проводимость. Полупроводники с преобладанием дырочной проводимости над электронной называют полупроводниками р-типа

Примесные уровни Полупроводники n-типа

Сверхвысокочастотные приборы В лавинно-пролетном диоде при лавинном пробое в обратносмещенном p-n-переходе возникают избыточные носители в области дрейфа, т.е. в области, где носители заряда движутся под влиянием приложенного напряжения. Если размер области дрейфа выбран правильно, то избыточные носители проходят ее на протяжении отрицательного полупериода напряжения переменного тока. Далее ток увеличивается при уменьшении напряжения. При этом существует своего рода отрицательная проводимость, которую можно использовать в объемном резонаторе для генерации СВЧ-колебаний

Сверхвысокочастотные приборы Принцип действия диода Ганна основан на свойстве вызывать замедление электронов в материале при некоторой критической напряженности электрического поля. В соответствии с законом Ома ток при слабых полях пропорционален напряженности поля. Однако при очень сильных полях энергии электронов в полупроводниках (GaAs или InP) возрастают до величин, при которых свобода движения электронов в полупроводниковом кристалле ограничивается. Вследствие их пониженной подвижности при превышении напряженностью электрического поля некоторого критического уровня электроны еще более замедляются. Как и в лавинно-пролетном диоде, здесь возникает некоторая разновидность отрицательной проводимости, которую можно использовать для генерации СВЧ-колебаний

Миниатюрность

Долговечность

Сравнительная характеристика