PPt4Web Хостинг презентаций

Главная / Физика / Исследование свойств полупроводниковых приборов
X Код для использования на сайте:

Скопируйте этот код и вставьте его на свой сайт

X

Чтобы скачать данную презентацию, порекомендуйте, пожалуйста, её своим друзьям в любой соц. сети.

После чего скачивание начнётся автоматически!

Кнопки:

Презентация на тему: Исследование свойств полупроводниковых приборов


Скачать эту презентацию

Презентация на тему: Исследование свойств полупроводниковых приборов


Скачать эту презентацию



№ слайда 1 Исследование свойств полупроводниковых приборов Авторы работы: Шматков Павел Гол
Описание слайда:

Исследование свойств полупроводниковых приборов Авторы работы: Шматков Павел Головачев Алексей Никитин Степан

№ слайда 2 Цель работы Показать необходимость дальнейшего развития полупроводниковой отрасл
Описание слайда:

Цель работы Показать необходимость дальнейшего развития полупроводниковой отрасли (несмотря на чувствительность к внешним факторам : повышение температуры, электрические перегрузки, проникающее излучение) производства путем выявления преимуществ над остальными отраслями научной сферы.

№ слайда 3 XX и XXI век характеризуется развитием полупроводниковой электроники и микроэлек
Описание слайда:

XX и XXI век характеризуется развитием полупроводниковой электроники и микроэлектроники. Это привело к изменению мировой экономики, основанной на новых информационных технологиях. XX и XXI век характеризуется развитием полупроводниковой электроники и микроэлектроники. Это привело к изменению мировой экономики, основанной на новых информационных технологиях.

№ слайда 4 Компании-лидеры по производству полупроводников
Описание слайда:

Компании-лидеры по производству полупроводников

№ слайда 5
Описание слайда:

№ слайда 6 Солнечная энергия
Описание слайда:

Солнечная энергия

№ слайда 7 Жорес Алферов Статья Жореса Алферова: «Перспективы развития нанотехнологий»
Описание слайда:

Жорес Алферов Статья Жореса Алферова: «Перспективы развития нанотехнологий»

№ слайда 8 Полупроводники – вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуто
Описание слайда:

Полупроводники – вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуточное место между проводимостью металлов и диэлектриков. Полупроводники – вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуточное место между проводимостью металлов и диэлектриков. Полупроводник – это материал, который проводит электричество лучше, чем такой диэлектрик, как каучук, но не так хорошо, как хороший проводник, например медь. В отличие от металлов, электропроводность полупроводников с повышением температуры и освещенности возрастает.

№ слайда 9
Описание слайда:

№ слайда 10
Описание слайда:

№ слайда 11 ТРАНЗИСТОР С p-n-p ПЕРЕХОДОМ ТРАНЗИСТОР С ПЕРЕХОДОМ типа n-p-n или p-n-p. Показа
Описание слайда:

ТРАНЗИСТОР С p-n-p ПЕРЕХОДОМ ТРАНЗИСТОР С ПЕРЕХОДОМ типа n-p-n или p-n-p. Показаны эмиттер, коллектор и база. Транзисторы такого типа применяются в качестве усилителей.

№ слайда 12 Точечный транзистор Две заостренные проволочки прижаты к полупроводниковому крис
Описание слайда:

Точечный транзистор Две заостренные проволочки прижаты к полупроводниковому кристаллу n-типа (германий), припаянному к металлическому кристаллодержателю. 1 – латунный или иной кристаллодержатель; 2 – области p-типа; 3 – припой или золотой сплав (контакт базы); 4 – кристалл n-типа; 5 – эмиттерный точечный контакт (бериллиевая бронза); 6 – коллекторный точечный контакт (фосфористая бронза); 7 – область n-типа.

№ слайда 13 Сплавной плоскостной транзистор
Описание слайда:

Сплавной плоскостной транзистор

№ слайда 14 Диффузионный транзистор 1 – базовая область p-типа; 2 – коллекторный переход; 3
Описание слайда:

Диффузионный транзистор 1 – базовая область p-типа; 2 – коллекторный переход; 3 – слой диоксида кремния; 4 – коллекторный контакт; 5 – микрокристалл кремния; 6 – вывод базы; 7 – эмиттерный вывод; 8 – электрическое соединение золото – кремний; 9 – металлический кристаллодержатель; 10 – напыленный электрод; 11 – эмиттерная область n-типа; 12 – эмиттерный переход

№ слайда 15 Планарные биполярные транзисторы Термин «планарные» означает, что все переходы в
Описание слайда:

Планарные биполярные транзисторы Термин «планарные» означает, что все переходы выходят на поверхность, где они могут быть защищены слоем диоксида кремния. Используются носители обоих типов – и электроны, и дырки, в отличие от полевых транзисторов Существуют два вида транзисторных структур – из объемного материала и эпитаксиальная. Первая создается просто на поверхности пластинки из «массивного» кремния. Такой транзистор имеет тот недостаток, что у него большое последовательное сопротивление коллектора, нежелательное в случае переключающего устройства. Этот недостаток отсутствует при использовании эпитаксиального материала – тонкого слоя кремния с высоким удельным сопротивлением (в котором может быть создана транзисторная структура), выращенного поверх толстого слоя сильно легированного материала

№ слайда 16 Полевой транзистор Для изготовления МОП-транзисторов используется высокоомный кр
Описание слайда:

Полевой транзистор Для изготовления МОП-транзисторов используется высокоомный кремний p- или n-типа. В кремнии p-типа методом диффузии создаются две сильно легированные близлежащие области n-типа. Одна из них, называемая истоком, является входной. Другая – сток – служит выходом. Над узкой промежуточной областью наращивается тонкий изолирующий слой (толщиной 200 нм и менее) диоксида кремния. На него наносят слой металла или кремния, который служит управляющим электродом. При подаче на управляющий электрод положительного напряжения возникает сильное электрическое поле, которое притягивает электроны к поверхности кремния, и образуется проводящий канал n-типа, соединяющий исток со стоком. Режим с положительным напряжением называется режимом обогащения. Можно изготавливать приборы, открытые в отсутствие внешнего напряжения. Отрицательное напряжение в них сужает канал и повышает его сопротивление; такой режим называется режимом обеднения. Изготавливаются также транзисторы с каналом p-типа

№ слайда 17 Тиристоры
Описание слайда:

Тиристоры

№ слайда 18 Тепловые сопротивления (термисторы) Полупроводники: Применение в качестве чувств
Описание слайда:

Тепловые сопротивления (термисторы) Полупроводники: Применение в качестве чувствительных термометров при дистанционных измерениях Использование в качестве термометров для замера температур окружающей среды Термистор(видео – опыт)

№ слайда 19 Термисторы: широкое применение в технике применяют как регуляторы температуры, к
Описание слайда:

Термисторы: широкое применение в технике применяют как регуляторы температуры, контролирование температуры в большом числе точек в приборах для измерения утечки газа, для дистанционного измерения влажности, для измерения высоких давлений, механических напряжений, скорости или количества протекающих жидкости, скорости движения

№ слайда 20 Фоторезистор (видео) Когда на транзистор падает свет достаточно большой энергии,
Описание слайда:

Фоторезистор (видео) Когда на транзистор падает свет достаточно большой энергии, т.е. с достаточно малой длиной волны, в нем освобождаются электронно-дырочные пары. Если пары возникают вблизи p-n-перехода с напряжением обратного смещения, они могут диффундировать в область перехода. Один из носителей может быть ускорен напряжением, имеющимся на переходе, и тогда он приобретает способность освобождать дополнительные заряды в процессах столкновения. В материале n-типа ускоряется дырка, в материале p-типа – электрон. Поскольку заряды несут ток через переход, он возникает и во внешней цепи, т.е. свет преобразуется в электрический ток.

№ слайда 21 Фоторезистор Использование: 1. Регистрация и изменения слабых световых потоков.
Описание слайда:

Фоторезистор Использование: 1. Регистрация и изменения слабых световых потоков. 2. Обнаружение инфракрасных лучей. 3. В автоматических устройствах, служащих для подсчета изделий движущихся на конвейере, контроля их размеров Например, турникет в метро работает именно по такому принципу.

№ слайда 22 Вывод Изучив литературу о полупроводниках, мы пришли в выводу, что полупроводник
Описание слайда:

Вывод Изучив литературу о полупроводниках, мы пришли в выводу, что полупроводники имеют существенные преимущества над остальными проводящими элементами: Миниатюрность Долговечность Высокая чувствительность Возможность использования источников тока с малым рабочим напряжением Низкое энергопотребление Экономичность

№ слайда 23 Ближайшее будущее полупроводников Нанотехнологии: На основании вышеприведенных т
Описание слайда:

Ближайшее будущее полупроводников Нанотехнологии: На основании вышеприведенных таблиц и графиков можно сделать вывод, что нанотехнологическая промышленность является самой перспективной отраслью на сегодняшний день и находит свое применение практически во всех сферах жизни человека и общества. Несмотря на бурное развитие биотехнологий, появление биочипов сохранит востребованность очень долго. Именно поэтому, современная, и прежде всего, полупроводниковая, электроника, которую сегодня можно называть наноэлектроникой, является самым мощным потребителем научных исследований, в том числе фундаментальных, и, безусловно, прикладных. Следовательно, необходимо усиленно развивать это направление науки.

№ слайда 24 Ресурсы 1. «Основы наноэлектроники» Драгунов В.П. учеб. пособие /В.П. Драгунов,
Описание слайда:

Ресурсы 1. «Основы наноэлектроники» Драгунов В.П. учеб. пособие /В.П. Драгунов, И.П. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 332 с. 2. «Полупроводниковые приборы:» Пасынков В.В. Учебник для вузов /В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 6-е изд., стер. СПб.: Лань, 2002. 480 с. 3. «Демонстрационный эксперимент по физике в старших классах средней школы» В.А Буров , Б.С. Зворыкин т. II, под редакцией А.А. Покровского, «Просвещение» 1972 год 449 с.

№ слайда 25 Спасибо за внимание !!!
Описание слайда:

Спасибо за внимание !!!

№ слайда 26 Собственная проводимость полупроводников Собственная проводимость – проводимость
Описание слайда:

Собственная проводимость полупроводников Собственная проводимость – проводимость идеальных чистых полупроводников(без примесей) Делится на электронную и дырочную.

№ слайда 27 Собственная проводимость полупроводников Собственная проводимость возникает в ре
Описание слайда:

Собственная проводимость полупроводников Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока – электронов (на уровне вблизи дна зоны); одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях, в результате чего появляются дырки.

№ слайда 28 Примесная проводимость полупроводников Примесная проводимость возникает, если не
Описание слайда:

Примесная проводимость полупроводников Примесная проводимость возникает, если некоторые атомы данного полупроводника заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов Изменяя концентрацию примеси, можно значительно изменять число носителей заряда того или иного знака. Благодаря этому можно создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей

№ слайда 29 Примесная проводимость полупроводников Донорные примеси При наличии примесей кон
Описание слайда:

Примесная проводимость полупроводников Донорные примеси При наличии примесей концентрация свободных электронов значительно возрастает и становится в тысячу раз больше концентрации свободных электронов в чистом полупроводнике. Примеси, легко отдающие электроны, называют донорными, и такие полупроводники являются полупроводниками n-типа. В полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями заряда, а дырки — не основными

№ слайда 30 Примесная проводимость полупроводников Акцепторные примеси Для образования норма
Описание слайда:

Примесная проводимость полупроводников Акцепторные примеси Для образования нормальных парно-электронных связей с соседями атому, например, индия не достает электрона. В результате образуется дырка. Число дырок в кристалле равно числу атомов примеси. Такого рода примеси называют акцепторными (принимающими). При наличии электрического поля дырки перемещаются по полю и возникает дырочная проводимость. Полупроводники с преобладанием дырочной проводимости над электронной называют полупроводниками р-типа

№ слайда 31 Примесные уровни Полупроводники n-типа
Описание слайда:

Примесные уровни Полупроводники n-типа

№ слайда 32
Описание слайда:

№ слайда 33 Сверхвысокочастотные приборы В лавинно-пролетном диоде при лавинном пробое в обр
Описание слайда:

Сверхвысокочастотные приборы В лавинно-пролетном диоде при лавинном пробое в обратносмещенном p-n-переходе возникают избыточные носители в области дрейфа, т.е. в области, где носители заряда движутся под влиянием приложенного напряжения. Если размер области дрейфа выбран правильно, то избыточные носители проходят ее на протяжении отрицательного полупериода напряжения переменного тока. Далее ток увеличивается при уменьшении напряжения. При этом существует своего рода отрицательная проводимость, которую можно использовать в объемном резонаторе для генерации СВЧ-колебаний

№ слайда 34 Сверхвысокочастотные приборы Принцип действия диода Ганна основан на свойстве вы
Описание слайда:

Сверхвысокочастотные приборы Принцип действия диода Ганна основан на свойстве вызывать замедление электронов в материале при некоторой критической напряженности электрического поля. В соответствии с законом Ома ток при слабых полях пропорционален напряженности поля. Однако при очень сильных полях энергии электронов в полупроводниках (GaAs или InP) возрастают до величин, при которых свобода движения электронов в полупроводниковом кристалле ограничивается. Вследствие их пониженной подвижности при превышении напряженностью электрического поля некоторого критического уровня электроны еще более замедляются. Как и в лавинно-пролетном диоде, здесь возникает некоторая разновидность отрицательной проводимости, которую можно использовать для генерации СВЧ-колебаний

№ слайда 35
Описание слайда:

№ слайда 36 Миниатюрность
Описание слайда:

Миниатюрность

№ слайда 37 Долговечность
Описание слайда:

Долговечность

№ слайда 38 Сравнительная характеристика
Описание слайда:

Сравнительная характеристика

Скачать эту презентацию


Презентации по предмету
Презентации из категории
Лучшее на fresher.ru